noticias de la compañía sobre Situación del desarrollo y pronóstico de la industria global del fotodiodo de la avalancha del silicio (Si-APDs)

Los fotodiodos de la avalancha del silicio refieren a los elementos fotosensibles usados en la comunicación de laser. Después de que un prejuicio reverso se aplique al empalme del P-N de un fotodiodo hecho del silicio, la luz de incidente será absorbida por el empalme del P-N para formar un photocurrent. La longitud de onda de la respuesta del Si-APD cubre 260-1100nm. APD tiene un mecanismo interno del aumento. Comparado con los tubos ordinarios del PIN, puede proporcionar diez a los centenares de épocas la señal bajo prejuicio reverso, y tiene una velocidad más rápida de la respuesta y ratio señal/ruido más alto mientras que mantiene la corriente oscura baja.

Situación del desarrollo y pronóstico de la industria de los fotodiodos de la avalancha del silicio (Si-APDs)

Durante el período del “décimotercero plan quinquenal” (2017-2021), el tamaño de mercado global del fotodiodo de la avalancha del silicio (Si-APDs) en 2017 era USD 66,4 millones. Afectado por la epidemia en los últimos dos años, según la última investigación por QYR, el tamaño de mercado global del fotodiodo de la avalancha del silicio (Si-APDs) será en 2021 US$77.66 millón, cuyo la tasa de crecimiento compuesta de cinco años será a partir de 2017 a 2021 3,99%. Durante el período del “14to plan quinquenal” (2021-2025), se estima que la escala global alcanzará 94,17 millones de dólares americanos en 2025, y la tasa de crecimiento compuesta durante 2021-2025 será 4,94%.

Un fotodiodo de la avalancha es un fotodetector del semiconductor (fotodiodo) que actúa en los voltajes reversos relativamente altos (típicamente los diez o aún los centenares de voltios), a veces ligeramente debajo de umbral. En esta gama, los portadores (los electrones y los agujeros) emocionados por la absorción de fotones son acelerados por el campo eléctrico interno fuerte, y entonces los portadores secundarios se generan, que sucede a menudo en tubos de fotomultiplicador. El proceso de la avalancha ocurre solamente en una distancia de algunos micrones, y el photocurrent se puede amplificar muchas veces. Por lo tanto, los fotodiodos de la avalancha se pueden utilizar como detectores muy sensibles, requiriendo la amplificación de la señal menos electrónica y por lo tanto el ruido menos electrónico. Sin embargo, el proceso sí mismo de la avalancha tiene ruido del quántum y ruido del amplificador, que niega las ventajas ya mencionadas. El ruido aditivo se puede describir cuantitativo por la figura de ruido aditiva F, un factor que caracterice el aumento en el poder de ruido electrónico comparado a un fotodetector ideal.

los diodos de avalancha Silicio-basados son sensibles en la gama de longitud de onda de 450-1000 nanómetro (a veces hasta 1100 nanómetro), con el responsivity más alto en el rango de 600-800 nanómetro, es decir longitudes de onda levemente más pequeñas que el Si fija los diodos en esta gama de longitud de onda. El factor de la multiplicación (también conocido como aumento) de Si APDs varía entre 50 y 1000, dependiendo del diseño del dispositivo y del voltaje reverso aplicado.

La investigación sobre la localización y la producción en masa de los dispositivos Si-APD en China comenzó relativamente atrasado. Actualmente, los dispositivos nacionales Si-APD todavía se retrasan detrás los gigantes extranjeros. El área de retardamiento principal es la falta de usos que llevan a la serialización incompleta de productos.

Con el desarrollo rápido de usos tales como conducción elegante, el hogar elegante, y la detección de la detección de la alto-sensibilidad, de baja luz y de fotón único experimentarán crecimiento explosivo. La tecnología del dispositivo Si-APD tiene principalmente dos direcciones del desarrollo, uno es la miniaturización y la integración de dispositivos. Por otra parte, el funcionamiento de los dispositivos Si-APD se mejora más a fondo, por ejemplo la mejora del responsivity de la detección en las bandas ultravioletas, infrarrojas y del infrarrojo cercano. Con el desarrollo continuo de la tecnología Si-APD y la madurez de la tecnología de la producción en masa Si-APD, los dispositivos Si-APD con precio bajo y el rendimiento superior se pueden aplicar cada vez más a los campos.

Según la encuesta, se espera que el tamaño de mercado global de los fotodiodos de la avalancha del silicio (Si-APDs) es aproximadamente USD 77,66 millones en 2021 y alcance USD 116,99 millones en 2028, con una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 6,45 por ciento para el período 2022-2028.

En 2021, China explicará 5,06% de la cuota de mercado global. Se estima que la tasa de crecimiento compuesta del mercado chino será 9,75% en los próximos 6 años, y la escala alcanzará 7,34 millones de dólares americanos en 2028. La posición importante del mercado de la región del pacífico asiático llegará a ser más prominente en los próximos años.