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Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro

Certificación
China XI'AN XINLAND INTERNATIONAL CO.,LTD certificaciones
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Comentarios de cliente
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Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro

Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro
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Ampliación de imagen :  Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro

Datos del producto:
Lugar de origen: Xi'an Shaanxi China
Nombre de la marca: XINLAND
Certificación: CE
Número de modelo: XL-LD8505
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 100pcs
Detalles de empaquetado: 1pcs/polybag, 10pcs/inner caja, 100pcs/ctn
Tiempo de entrega: 7 días
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000 docenas/docenas por día

Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro

descripción
Uso:: Telémetro del laser, microscopio confocal Lugar de origen: Xi'an Shaanxi China
Marca:: XINLAND Tipo:: Diodo láser
Tipo del paquete:: Soporte superficial Voltaje delantero del máximo: -
Voltaje reverso máximo: -: - Max. Forward Current:: -
Alta luz:

Diodo láser del telémetro 850nm

,

Diodo láser del microscopio 850nm

,

diodo láser micro 850nm

XL-LD8505 Mini Laser Diode Laser Rangefinder, microscopio confocal

 

Características

- Corriente de funcionamiento baja

- Eficacia alta

- Alta confiabilidad

- Paquete de la alta precisión

Salida ligera infrarroja: λp =850nm

- Tipo del paquete: TO-18 (Ø5.6mm)

- Diodo incorporado de la foto para supervisar el diodo láser

 

Grado máximo absoluto en TC =25℃

Artículos Símbolo Grado Unidad
De potencia de salida óptico PO 7 mW
Voltaje reverso del LD VLDR 2 V
Voltaje reverso del paladio VPDR 30 V
Corriente delantera del paladio IPDF 10 mA
Temperatura de la operación TOP -10 ~ +60
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 ~ +85

 

Características eléctricas y ópticas en TC =25℃

Artículos Símbolo Minuto Tipo. Máximo Unidad Condición
Longitud de onda de Lasing λp 845 850 855 nanómetro PO =5mW
Corriente del umbral Ith - 10 20 mA -
Actual de funcionamiento IOP - 20 30 mA PO =5mW
Eficacia de la cuesta η - 0,7 0,9 mW/mA PO =2-5mW
Corriente del monitor Im 0,2 0,4 0,5 mA PO =5MW, VPDR =5V
Voltaje de funcionamiento Vop - 2,2 2,5 V PO =5mW
Ángulo paralelo de la divergencia ‖ del θ 7 9 12 grado
Ángulo perpendicular de la divergencia θ⊥ 25 32 40 grado
Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro 0Ángulo de desviación paralelo de FFP △‖ del θ - - ±2 grado
Ángulo de desviación perpendicular de FFP △θ⊥ - - ±3 grado
Exactitud del punto de la emisión △X, △Y, △Z - - ±60 µm  

 

 

Datos técnicos del diodo láser LT-LD8505

 

Dimensiones internas de Ciruit y del esquema (unidad: milímetro)

No. Componente Material Final
Microprocesador del diodo láser AlGaInP/GaAlAs -
Tronco FE Au plateado
Casquillo Aleación 45 Ni+Pd plateó
Vidrio de la ventana Vidrio de Borosilicate Tipo. n=1.516 (λp = 830nm)
Pernos de la ventaja Kovar Au plateado

 

Grados máximos absolutos (Tc=25℃ (nota 1))

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Salida de poder óptica (CW) (nota 2) Po 700 mW
Salida de poder óptica (pulso) (nota 3) Pp 2.000 mW
Voltaje reverso Vrl 2 V
Temperatura de funcionamiento (temperatura de caso) Top (c) -10 ~ +70
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 ~ +85
Temperatura que suelda (nota 4) Tsld 350

(Nota 1) Tc: Temperatura de caso

(Nota 2) CW: Operación de onda continua

(Pulso de la nota 3): Operación de pulso (anchura de pulso: deber 1μs: el 10%)

(Temperatura de extremidad del soldador de los medios de la temperatura de la nota que suelda 4) (el poder 20W) mientras que suelda.

 

La posición que suelda es 1.6m m aparte del borde inferior del caso. (Tiempo de la inmersión: ≦3s)

Parámetro Símbolo Condiciones Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
Corriente del umbral Ith - - 250 T.B.D. mA
Actual de funcionamiento IOP

 

 

 

 

Po=700mW

- 870 T.B.D. mA
Voltaje de funcionamiento Vop   - 2 T.B.D. V
Longitud de onda λp   840 850 860 nanómetro
ángulo de la intensidad 1/e2 (paralelo) (nota 2,3,4) θ∥ (1/e2)   T.B.D. 13,5 T.B.D. °
ángulo de la intensidad 1/e2 (perpendicular) (nota 2,3) θ⊥ (1/e2)   T.B.D. 40 T.B.D. °
Ángulo del desalineamiento (paralelo) (nota 3) Δθ∥ (1/e2)   -5 - 5 °
Ángulo del desalineamiento (perpendicular) (nota 3) Δθ⊥ (1/e2)   -5 - 5 °
Eficacia diferenciada ηd 600mW I (700mW) - yo (100mW) 0,7 1,0 1,3 mW/mA
Enrosqúese (nota 5) K-LI P1=140mW, P2=420mW P3=700mW -10 - 10

 

Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro 1

 

Diodo láser confocal del microscopio 850nm del telémetro 2

Contacto
XI'AN XINLAND INTERNATIONAL CO.,LTD

Persona de Contacto: Mrs. Nica Chow

Teléfono: +86-13991354371

Fax: 86-29-81323155

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